3. 產(chǎn)品概述
3.1. ARM的 Cortex-M0核心并內(nèi)嵌閃存和 核心并內(nèi)嵌閃存和 核心并內(nèi)嵌閃存和 核心并內(nèi)嵌閃存和 核心并內(nèi)嵌閃存和 核心并內(nèi)嵌閃存和 核心并內(nèi)嵌閃存和 SRAM
ARM的 Cortex-M0處理器是較新一代的嵌入式 處理器是較新一代的嵌入式 處理器是較新一代的嵌入式 處理器是較新一代的嵌入式 處理器是較新一代的嵌入式 處理器是較新一代的嵌入式 ARM處理器，它為實(shí)現(xiàn) 處理器，它為實(shí)現(xiàn) 處理器，它為實(shí)現(xiàn) MCU的需要提供了低成本平臺(tái)、 的需要提供了低成本平臺(tái)、 的需要提供了低成本平臺(tái)、 的需要提供了低成本平臺(tái)、 的需要提供了低成本平臺(tái)、 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。 縮減的引腳數(shù)目、降低系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越計(jì)算性能和先進(jìn)中斷響應(yīng)。
ARM的 Cortex-M0是 32位的 RISC處理器， 處理器， 具備比 8位或 16位系統(tǒng)更高的 位系統(tǒng)更高的 位系統(tǒng)更高的 的代碼效率。 的代碼效率。 的代碼效率。
FT32F072xx擁有內(nèi)置的 擁有內(nèi)置的 ARM核心，因此它與所有的 核心，因此它與所有的 核心，因此它與所有的 核心，因此它與所有的 ARM工具和軟件兼容。 工具和軟件兼容。 工具和軟件兼容。 工具和軟件兼容。
3.2. 內(nèi)置閃存儲(chǔ)器 內(nèi)置閃存儲(chǔ)器 內(nèi)置閃存儲(chǔ)器 內(nèi)置閃存儲(chǔ)器 內(nèi)置閃存儲(chǔ)器 內(nèi)置閃存儲(chǔ)器
器件具有以下特點(diǎn)： 器件具有以下特點(diǎn)： 器件具有以下特點(diǎn)：
? CPU時(shí)鐘以 時(shí)鐘以 0等待狀態(tài)讀 等待狀態(tài)讀 等待狀態(tài)讀 /寫(xiě)訪問(wèn) 8k字節(jié)的嵌入式 字節(jié)的嵌入式 字節(jié)的嵌入式 SRAM
? 非易失性存儲(chǔ)器： 非易失性存儲(chǔ)器： 非易失性存儲(chǔ)器：
— 64k+4k字節(jié)嵌入式閃存用來(lái)編程和數(shù)據(jù) 字節(jié)嵌入式閃存用來(lái)編程和數(shù)據(jù) 字節(jié)嵌入式閃存用來(lái)編程和數(shù)據(jù) 字節(jié)嵌入式閃存用來(lái)編程和數(shù)據(jù) 字節(jié)嵌入式閃存用來(lái)編程和數(shù)據(jù) 字節(jié)嵌入式閃存用來(lái)編程和數(shù)據(jù)
— 選項(xiàng)字節(jié)
選項(xiàng)字節(jié) 可對(duì)閃存 可對(duì)閃存 寫(xiě)保護(hù)（ 寫(xiě)保護(hù)（ 0.5k字節(jié)粒度）或使用以下選項(xiàng) 字節(jié)粒度）或使用以下選項(xiàng) 字節(jié)粒度）或使用以下選項(xiàng) 字節(jié)粒度）或使用以下選項(xiàng) 字節(jié)粒度）或使用以下選項(xiàng) 對(duì)整個(gè)閃存讀保護(hù) 對(duì)整個(gè)閃存讀保護(hù) 對(duì)整個(gè)閃存讀保護(hù) ：
— 級(jí)別 0：無(wú)讀保護(hù) ：無(wú)讀保護(hù) ：無(wú)讀保護(hù)
— 級(jí)別 1：閃存讀 閃存讀 保護(hù)， 保護(hù)， 在 debug模式下，或 模式下，或 模式下，或 由 SRAM啟動(dòng)，或 啟動(dòng)，或 啟動(dòng)，或 系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū) 啟動(dòng)的代碼均不能訪問(wèn)主程序系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū) 啟動(dòng)的代碼均不能訪問(wèn)主程序系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū) 啟動(dòng)的代碼均不能訪問(wèn)主程序系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū) 啟動(dòng)的代碼均不能訪問(wèn)主程序系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū) 啟動(dòng)的代碼均不能訪問(wèn)主程序系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū) 啟動(dòng)的代碼均不能訪問(wèn)主程序系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū) 啟動(dòng)的代碼均不能訪問(wèn)主程序系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū)
啟動(dòng)的代碼均不能訪問(wèn)主程序— 級(jí)別 2：芯片讀 ：芯片讀 保護(hù)， 只能從主程序區(qū)啟動(dòng)，且 只能從主程序區(qū)啟動(dòng)，且 只能從主程序區(qū)啟動(dòng)，且 只能從主程序區(qū)啟動(dòng)，且 debug模式被禁用 模式被禁用
3.3. 加載模式
開(kāi)機(jī)時(shí)，引腳和選擇器項(xiàng)位用于三種之一 開(kāi)機(jī)時(shí)，引腳和選擇器項(xiàng)位用于三種之一 開(kāi)機(jī)時(shí)，引腳和選擇器項(xiàng)位用于三種之一 開(kāi)機(jī)時(shí)，引腳和選擇器項(xiàng)位用于三種之一 開(kāi)機(jī)時(shí)，引腳和選擇器項(xiàng)位用于三種之一 開(kāi)機(jī)時(shí)，引腳和選擇器項(xiàng)位用于三種之一 開(kāi)機(jī)時(shí)，引腳和選擇器項(xiàng)位用于三種之一 開(kāi)機(jī)時(shí)，引腳和選擇器項(xiàng)位用于三種之一 開(kāi)機(jī)時(shí)，引腳和選擇器項(xiàng)位用于三種之一 開(kāi)機(jī)時(shí)，引腳和選擇器項(xiàng)位用于三種之一 ，如表 3.1所示： 所示：
? 從主程序區(qū)啟動(dòng)
? 從系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū) 系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū) 啟動(dòng)

? 從嵌入式 SRAM啟

封裝： LQFP64, LQFP48, LQFP32

內(nèi)核
? 32位 Cortex M0，較高工作頻率 較高工作頻率 較高工作頻率 72 MHz
? 單指令周期 單指令周期 32位硬件乘法器 位硬件乘法器 位硬件乘法器 位硬件乘法器
? 32個(gè)中斷向量的 個(gè)中斷向量的 NVIC，4種 優(yōu)先級(jí)
? 支持 SWD接口調(diào)試， 接口調(diào)試， 接口調(diào)試， 2個(gè)觀察點(diǎn)以及 個(gè)觀察點(diǎn)以及 個(gè)觀察點(diǎn)以及 4個(gè) 硬件斷點(diǎn)
存儲(chǔ)器
? 64 kB閃存，用于放在程序代碼和數(shù)據(jù) 閃存，用于放在程序代碼和數(shù)據(jù) 閃存，用于放在程序代碼和數(shù)據(jù) 閃存，用于放在程序代碼和數(shù)據(jù) 閃存，用于放在程序代碼和數(shù)據(jù) 閃存，用于放在程序代碼和數(shù)據(jù)
? 4 kB閃存 ，用于存放啟動(dòng) 用于存放啟動(dòng) 用于存放啟動(dòng) 代碼 (bootloader)
? 8 kB SRAM
電源模塊
? 數(shù)字及 GPIO供電： 供電： VDD= 2.0 V – 5.5 V
? 模擬供電： 模擬供電： VDDA= VDD
? 上電復(fù)位 及掉上電復(fù)位 及掉上電復(fù)位 及掉(POR/PDR)
? 可編程的電壓檢測(cè)模塊 可編程的電壓檢測(cè)模塊 可編程的電壓檢測(cè)模塊 (PVD)
? 低功耗模式：睡眠 低功耗模式：睡眠 低功耗模式：睡眠 /停止 /待機(jī)
? 低功耗電流 低功耗電流 @ 3.3 V：
? 停止模式 (normal/LP)：15.5 μA/5.6 μA
? 待機(jī)模式： 待機(jī)模式： 2.2 μA
時(shí)鐘管理
? 支持 4 MHz – 32 MHz晶體
? 支持 32 kHz低頻晶體， 低頻晶體， 支持 硬件 校準(zhǔn)
? 內(nèi)置 40 kHz低頻振蕩器 低頻振蕩器
? 內(nèi)置 14 MHz中頻振蕩器 中頻振蕩器
? 內(nèi)置 48 MHz高頻振蕩器， 高頻振蕩器， 高頻振蕩器， 支持 硬件 校準(zhǔn)
? 可編程 PLL，較高可倍頻到 ，較高可倍頻到 ，較高可倍頻到 72 MHz
外設(shè)
? 55個(gè)高速 I/O
? 可映射到外部中斷向量 可映射到外部中斷向量 可映射到外部中斷向量
? PA8~PA10， PA13~PA15， PB0~PB1， PB3~PB7支持 LED驅(qū)動(dòng)
? 所有 I/O支持 1/2VDD偏置
? 5通道的可編程 通道的可編程 DMA控制器
? 可編程多項(xiàng)式的 可編程多項(xiàng)式的 CRC模

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